介绍 铜比铝的电阻率更小，电子 迁移量更少。因此，在半 导体工业领域，越来越多应用 使用铜作为连接材料。
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我们可在高沉积率 和低温条件下镀出大面积，均匀 的纯铜薄膜。当膜层厚度大 于120nm时，FCVA的铜膜电阻率接 近铜块的电阻率。铜膜由100%能量可调的铜离子 产生，可以适用于对高纵横 比（Aspect Ratio）沟道进行镀膜。 我们的FCVA铜膜技术还具有优异的反向填充性质， 能够实现其他技术不可能完成的镀膜任务。

FCVA的镀铜技术有 各项先进的技术参数，是半导体连接卓越的解决方案，同时 还可以对印刷电路板和塑料基片实现金属化。