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沉积温度是多少?
FCVA的特点是低温工艺。但是它是否可以在必要时进行高温镀膜?
沉积率是多少?
沉积率是否由阴极电弧电流控制?
典型的电弧电流是多少?
使用什么方法测量镀膜的密度?
据我所知，你们采用双过滤装置，第二个装置的作用是什么?
怎样精确控制镀膜厚度?
FCVA源是否适用于高吞吐量的生产作业?
是否可以用于双面镀膜?
怎样达到镀膜的均匀性?
在硬盘驱动器镀膜过程中怎样防止静电放电(ESD)?

		沉积温度是多少? FCVA的沉积温度一般低于80°C。扩大了基体材料的选择范围，尤其适合在那些在高温下变形或性质改变的材料上镀膜。

		FCVA的特点是低温工艺。但是它是否可以在必要时进行高温镀膜? 是的，完全可以。加热过程用来对基片进行加温. 在保证品质的前提下，镀ta-C时最高基片温度应低于300°C。

		沉积率是多少? 在单片3.5"基片上，最大沉积率不低于15Å/秒。在8"的基片上最大沉积率不低于0.5Å/秒。在直径8"基片范围内FCVA沉积率与磁控溅射工艺差不多。

		沉积率是否由阴极电弧电流控制? 是的。

		典型的电弧电流是多少? 典型的电弧电流在20到20安培之间。

		使用什么方法测量膜层的密度? 我们用三种不同的方法: 电子能量损失光谱法(EELS)，卢瑟福反向散射法(RBS)，和 X-射线衍射法(XRD)。

		据我所知，你们采用双过滤装置，第二个装置的作用是什么? 双弯设计用来在不影响等离子吞吐量的同时最大限度地滤除杂质。第二个装置的作用是协同完成滤除宏观颗粒。

		怎样精确控制膜层厚度? 具石墨上的电弧具有无序性，因此极难保持固定的沉积率。通过实时监控电弧的参数(如电弧电压，电弧电流等)，我们用特殊的技术精确控制膜层的厚度(<5%)。

		FCVA源是否适用于高吞吐量的生产作业? 是的。3.5"基片的沉积率在10Å/秒以上。在稍小的基片上沉积率更高。20-30Å的ta-C膜完全可以对现代硬盘媒介提供足够的保护。

		是否可以用于双面镀膜? 一个镀膜设备装置两个FCVA源即可对基片进行双面镀膜。两个FCVA源不会发生不利的交互作用。

		怎样达到镀膜的均匀性? 我们使用特殊的扫描系统引导等离子束的方向。扫描波形是根据实验由电脑自动生成的。由于在处理过程中采用了扫描的概念，我们的薄膜可以在直径约8"的基片上达到3%的均匀性。

		在硬盘驱动器镀膜过程中怎样防止静电放电(ESD)? 我们的硬盘驱动器镀膜工艺不需要加基片电压，只使用中性的等离子，且基片是悬浮的，所以没有电子的积聚。完全避免了静电放电(ESD)效应。