随着晶片的小型化和高速化趋势，铜势
必会取代铝作为微处理器电路的联接材料。铜具有
更好的传导性，电阻率更低，联接可以更细。除
此之外，铜材料防止电子迁徙的能力比铝强，在压力
下不易断裂。因此由铜作为联接的芯片尺寸会降低，同时
复杂度和速度也会相应提高。
但是，铜也有自身的弱点, 铜会扩散
到相邻的硅中造成污染。为了防止铜的扩散污染，
通常使用在硅和铜之间建立扩散阻断层，TiN和TaN是
适合的材料。这两种材料可以防止铜对硅或二氧化硅的污染，
同时提高铜在基片上的附着力。
FCVA 金属源
通过FCVA科技，我们可以用Ta,TaN产
生顺形(conformal)扩散阻断层(barrier)
以及使用铜在沟槽(tranches)和微通
路(vias)上产生种晶层(seed layer)。阴极材料和
电子共同产生离子化纯金属等离子束，离
子束经由磁性过滤器引向基片。通过对
基片施加不同的偏压，离子能量可
以在几十到几千电子伏特之间控制。
